sem掃描電鏡的成像質(zhì)量與哪些因素有關(guān)

sem掃描電鏡的成像質(zhì)量與哪些因素有關(guān)

1.傾斜角效影響圖像因素

由于二次電子的發(fā)射是入射電子碰撞樣品的海外電子，使原子外層受激發(fā)而電離出來的電子， 且電子在逸出樣品表面之前又和樣品進(jìn)行多次散射，所以只要在樣品淺層幾納米到幾十納米組偶偶深度區(qū)域產(chǎn)生的二次電子才能逸出表面，被探測(cè)器收集到。因此電子束的入射角將影響二次電子圖像的反差。

2.邊緣效應(yīng)

在樣品邊緣和較短部位攝入一次電子時(shí)。由于尖部和邊緣的二次電子容易脫離樣品，所以產(chǎn)生二次電子數(shù)量多，圖像異常明亮，稱為邊緣效應(yīng)。邊緣效應(yīng)造成反差不自然，降低圖像質(zhì)量。若降低加速電壓，減少二次電子的發(fā)生量，或減少對(duì)比度。就可以使邊緣效應(yīng)相對(duì)減輕。

3.原子序數(shù)效應(yīng)

原子序數(shù)高的元素被激發(fā)的二次電子多，原子敘述地的元素則少。因此，在同等條件下，前者圖像明亮，這種現(xiàn)象成為原子序數(shù)效應(yīng)。原子序數(shù)效應(yīng)與被散射電子在樣品中的激發(fā)作用有關(guān)。在觀察生物樣品時(shí)，在樣品表面均勻噴鍍一層原子敘述高的金屬膜，可提高圖像質(zhì)量。

4.充放電效應(yīng)

生物樣品大多數(shù)是高絕緣性的，入射電子不能在樣品中構(gòu)成回路倒入大地，堆積在樣品上的入射電子形成負(fù)電荷區(qū)，產(chǎn)生放電現(xiàn)象或排斥后續(xù)入射電子，使其被檢測(cè)器吸收或者轟擊樣品室其他部件，嚴(yán)重應(yīng)先二次電子圖像質(zhì)量，如采用鍍膜，導(dǎo)電膠黏貼樣品等導(dǎo)電處理，可減少充放電效應(yīng)的影響。

5.焦點(diǎn)深度

所謂的焦深是指對(duì)高低不平試樣各部分聚焦的*大限度的能力。它是掃描電鏡中一個(gè)重要的和可控的性能指標(biāo)，是影響整幅圖像各部位清晰度的一個(gè)重要因素。隨著圖像的放大倍數(shù)增加，其焦深受束斑尺寸的影響越來越顯著。在高倍放大時(shí)，要得到較大的焦深，就要選擇大孔頸的物鏡光闌，或者縮小工作距離進(jìn)行觀察。