掃描電鏡的分辨率是指它能夠顯示的*小特征尺寸或距離，是衡量SEM掃描電鏡性能的重要參數之一。分辨率的高低直接影響到掃描電鏡圖像的清晰度和對物質微觀結構的觀察能力。

一般來說，SEM掃描電鏡的分辨率可能會受到以下因素的影響：

入射電子束束斑直徑：該指標決定了掃描電鏡分辨率的極限。一般場發射電子槍可使束斑直徑小于3nm。束斑直徑越小，電鏡分辨率越高。

入射電子束在樣品中的擴展效應：擴散程度取決于入射束電子能量的高低和樣品原子序數的大小。入射束能量越高，樣品原子序數越小，則電子束作用體積越大，產生信號的區域隨電子束的擴散而增大，從而降低了分辨率。

調制信號：分辨率與信號本身的能量和信號取樣的區域范圍相關。以二次電子為調制信號為例，由于其能量低（小于50 eV），平均自由程短（10~100nm左右），只有在表層50～100nm的深度范圍內的二次電子才能逸出樣品表面，發生散射次數很有限，基本未向側向擴展，因此，二次電子像分辨率約等于束斑直徑，即掃描電鏡分辨本領的極限。

此外，掃描電鏡的分辨率還受到電鏡設計、電子槍種類、加速電壓、束流、工作距離、光闌孔徑等多種因素的影響。新式的掃描電子顯微鏡的分辨率可以達到1nm，甚至更高。

總之，SEM掃描電鏡的分辨率是評價其性能的重要指標之一，高分辨率的掃描電鏡能夠更清晰地觀察物質的微觀結構，為科學研究提供有力的工具。